Technische Details 2N6354 MOT
Description: POWER BJT, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 10A, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 10A, 2V, Frequency - Transition: 60MHz, Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 140 W.
Weitere Produktangebote 2N6354
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| 2N6354 | Hersteller : MOTOROLA |
auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6354 | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans GP BJT NPN 120V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 2N6354 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 10A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 10A, 2V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 140 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 2N6354 | Hersteller : Microchip Technology / Atmel | Bipolar Transistors - BJT |
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| 2N6354 | Hersteller : Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
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