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2SC5198 (Bipolartransistor NPN)

2SC5198 (Bipolartransistor NPN) Toshiba

2sc5198.pdf
Produktcode: 40305
Hersteller: Toshiba
Gehäuse: TO-3P
fT: 30 MHz
Uceo,V: 140
Ucbo,V: 140
Ic,A: 10
h21: 160
Bem.: Complementary to 2SA1941
ZCODE: THT
auf Bestellung 29 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.66 EUR
10+1.37 EUR
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2SC5198 2SC5198 Hersteller : EVVO 5272_2SC5198.pdf Description: TRANS NPN 140V 10A TO-3PS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3PS
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 100 W
auf Bestellung 727 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.42 EUR
10+2.86 EUR
100+1.97 EUR
500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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2SC5198 2SC5198 Hersteller : Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. audiotube_48.html Description: TRANS NPN 140V 10A TO-3PN
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 0.7A, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3PN
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 100 W
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+8.43 EUR
10+5.05 EUR
100+3.03 EUR
600+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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2SC5198 Hersteller : JSMicro Semiconductor 5272_2SC5198.pdf audiotube_48.html Transistor NPN; 160; 100W; 140V; 10A; 30MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2SC5198-O(Q); 2SC5198-O(Q,T); 2SC5198-O(S1,E; 2SC5198-O(S1,E,S); 2SC5198 JSMICRO T2SC5198 JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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Gehäuse: TO-3PN
fT: 30 MHz
U, V: 140 V
U, V: 140 V
I, А: 10 A
auf Bestellung 32 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Gehäuse: TO-92
fT: 80 MHz
U, V: 50
U, V: 50
I, А: 0.15
h21,max: 400
auf Bestellung 238 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.08 EUR
10+0.072 EUR
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Gehäuse: TO-220
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 80
Ic,A: 5
h21: 1000
Bem.: Darlington
ZCODE: THT
verfügbar: 172 St.
40 St. - stock Köln
132 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.29 EUR
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2SC5198+2SA1941 Paar (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Toshiba
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Gehäuse: TO-3P
fT: 30 MHz
Uceo,V: 140
Ucbo,V: 140
Ic,A: 10
h21: 160
Bem.: Пара
ZCODE: THT
auf Bestellung 54 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.46 EUR
10+2.14 EUR
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Hersteller: Sheier
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: TO-220-2
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 8 A
Trr, ns: 60 ns
Bemerkung: Конструкція: один діод у корпусі
auf Bestellung 14 St.:
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