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2SC5198 (NPN-Bipolartransistor)

2SC5198 (NPN-Bipolartransistor) Toshiba

2sc5198.pdf
Produktcode: 40305
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Hersteller: Toshiba
Gehäuse: TO-3P
Transitfrequenz fT: 30 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 140 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 140 V
Kollektorstrom Ic, A: 10 A
Stromverstärkung h21: 160
Bemerkung: Komplementär zu 2SA1941
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SC5198 2SC5198 EVVO 5272_2SC5198.pdf Description: TRANS NPN 140V 10A TO-3PS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3PS
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 100 W
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.13 EUR
30+6.28 EUR
120+5.22 EUR
510+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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2SC5198 2SC5198 Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. audiotube_48.html Description: TRANS NPN 140V 10A TO-3PN
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 0.7A, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3PN
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 100 W
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+55.57 EUR
10+10.44 EUR
100+3.97 EUR
600+2.56 EUR
1200+2.13 EUR
2400+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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2SC5198 5272_2SC5198.pdf
2SC5198
Hersteller: EVVO
Description: TRANS NPN 140V 10A TO-3PS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3PS
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 100 W
auf Bestellung 790 Stücke:
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120+5.22 EUR
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2SC5198 audiotube_48.html
2SC5198
Hersteller: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 140V 10A TO-3PN
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 0.7A, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3PN
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 100 W
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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3+55.57 EUR
10+10.44 EUR
100+3.97 EUR
600+2.56 EUR
1200+2.13 EUR
2400+1.83 EUR
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Produktcode: 184918
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2SA1941-O(S1,X,S)
Hersteller: Toshiba
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-3PN
Grenzfrequenz fT, MHz: 30 МГц
Spannung Uce, V: 140 В
Spannung Ucb, V: 140 В
Strom Ic, A: 10 А
auf Bestellung: 6 St.
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2SA1015GR
Produktcode: 25436
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2SA1015(L).pdf
2SA1015GR
Hersteller: Toshiba
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
Grenzfrequenz fT, MHz: 80 MHz
Spannung Uce, V: 50 V
Spannung Ucb, V: 50 V
Strom Ic, A: 0,15 A
Stromverstärkung h21, max: 200...400
auf Bestellung: 133 St.
  • 133 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+0.19 EUR
10+0.18 EUR
100+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7 St.
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2SC5198 + 2SA1941 Paar (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 36709
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2SC5198 + 2SA1941 Paar (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: Toshiba
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-3P
Transitfrequenz fT: 30 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 140 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 140 V
Kollektorstrom Ic, A: 10 A
Stromverstärkung h21: 160
Bemerkung: Paar
Montage: THT
auf Bestellung: 50 St.
  • 50 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.39 EUR
10+4.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAV70
Produktcode: 3098
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BAV70.pdf
BAV70
Hersteller: Infineon/NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SOT-23
Sperrspannung Vrr, V: 85 V
Mittlerer Strom Iav, A: 0,2 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 4 ns
Bemerkung: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, gemeinsame Kathode, Strom 0,2 A pro Diode.
Montage: SMD
auf Bestellung: 9 St.
  • 9 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+0.13 EUR
10+0.12 EUR
100+0.024 EUR
1000+0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 9 St.
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100pF 50V NP0 J(+/-5%) (R15N101J1HL2-L-Hitano)
Produktcode: 2904
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multilayer_ceramic_capacitorsepoxxyy.pdf
100pF 50V NP0 J(+/-5%) (R15N101J1HL2-L-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische mehrschichtige
Kapazität: 100 pF
Nennspannung: 50 V
TKE (Dielektrikum): NP0
Toleranz: ±5% J
Rastermaß: 2,54 mm
Part Number: R15N101J1HL-2L
verfügbar: 240 St.
  • 240 St. - stock Köln
erwartet: 3000 St.
  • 3000 St. - erwartet
AnzahlPrivatkunde
30+0.058 EUR
100+0.051 EUR
1000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 30 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH