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4N65F

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Transistoren > MOSFET N-CH

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4N65F 4N65F Hersteller : UMW 7c2211306ee2c191af1e81e38d412bcd.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
auf Bestellung 879 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.6 EUR
18+1 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
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Vrr, V: 600 V
Iav, A: 2 A
Trr, ns: 35 ns
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Gehäuse: KBP
Urew: 1000 V
I dir: 2 A
Zus.Info: Однофазний
Auwechselbar:: KPB2005, KPB201, KPB202, KPB204, KPB206, KPB208, KPB2005G, KPB201G, KPB202G, KPB204G, KPB206G, KPB208G, KPB210G, KBP151G, KBP152G, KBP153G, KBP154G, KBP155G, KBP156G, KBP157G, KBP101G, KBP102G, KBP103G, KBP104G, KBP105G, KBP106G, KBP107G, KBP005G, KBP01G,
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 60 A
auf Bestellung 897 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 40 St.:
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1N4007-SMD M7 DO214AC
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1N4007-SMD M7 DO214AC
Hersteller: Toshiba
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Gehäuse: SMA/DO-214AC
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 1
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: S1M
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1 V
verfügbar: 1980 St.
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.017 EUR
1000+0.011 EUR
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