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ES2J (SMA case)

ES2J (SMA case) Jingdao

datasheetES2J.pdf
Produktcode: 184657
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Hersteller: Jingdao
Gehäuse: SMA/DO-214AC
Sperrspannung Vrr, V: 600 В
Mittlerer Strom Iav, A: 2 А
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 35 ns
auf Bestellung: 781 St.
  • 781 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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4,7uF 50V X7R 10% 1206 2k/reel (CL31B475KBHNNNE – Samsung)
Produktcode: 67047
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cl_series_mlcc_datasheet.pdf
4,7uF 50V X7R 10% 1206 2k/reel (CL31B475KBHNNNE – Samsung)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 4,7 µF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Baugröße: 1206
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
8+0.15 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 8 St.
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IRLML9301TRPBF
Produktcode: 34218
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irlml9301pbf-datasheet.pdf
IRLML9301TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 3,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,064 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 388/4,8
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 2357 St.
  • 2357 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.33 EUR
10+0.2 EUR
100+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0030TRPBF
Produktcode: 37076
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irlml0030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664773825df
IRLML0030TRPBF
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 5,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 382/2,6
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 60 St.
  • 60 St. - stock Köln
auf Bestellung: 12816 St.
  • 12816 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+0.19 EUR
10+0.18 EUR
100+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6344TRPBF
Produktcode: 42697
13 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c
IRLML6344TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/6,8
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 4 St.
  • 4 St. - stock Köln
erwartet: 8050 St.
  • 50 St. - erwartet
  • 8000 St. - erwartet
auf Bestellung: 2674 St.
  • 2674 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.3 EUR
10+0.23 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 4 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES1J
Produktcode: 3349
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
ES1 series.pdf
ES1J
Hersteller: YJ/TSC/HOTTECH
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SMA/DO-214AC
Sperrspannung Vrr, V: 600 V
Mittlerer Strom Iav, A: 1 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 20 ns
Montage: SMD
Warennummer: 8541 10 00 90
auf Bestellung: 187 St.
  • 187 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+0.15 EUR
10+0.14 EUR
100+0.12 EUR
1000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 8 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH