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68nH 10% 0805 (SWI0805CT68NK-Hitano) Induktivität

68nH 10% 0805 (SWI0805CT68NK-Hitano) Induktivität

SWI0805CT_080418.pdf
Produktcode: 1780
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Hersteller: Hitano
Nennwert, H: 68 nH
Genauigkeit: ±10%
Größe: 0805
Eigenschaften: Drahtgewickelt auf Keramik; IDC max=500mA
Nennstrom: 500 mA
Widerstand: 0,38 Ом
Zolltarifnummer: 8504 50 20 90
auf Bestellung: 1681 St.
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SWI0805CT68NK Hitano SWI0805CT68NK 0,068 мкГн 0805 10% 500mА 0,38ohm Індуктивності
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SWI0805CT68NK
Hersteller: Hitano
SWI0805CT68NK 0,068 мкГн 0805 10% 500mА 0,38ohm Індуктивності
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68pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N680J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 1182
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NPO.pdf
68pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N680J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 68 pF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0805
HS-Code: 8532 24 00 00
auf Bestellung: 6250 St.
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27nH 5% 0805 (SWI0805CT27NJ-Hitano) Induktivität
Produktcode: 12862
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SWI0805CT_080418.pdf
27nH 5% 0805 (SWI0805CT27NJ-Hitano) Induktivität
Hersteller: Hitano
Drosseln > Induktivität 0805
Nennwert, H: 27 nH
Genauigkeit: ±5%
Größe: 0805
Eigenschaften: Drahtgewickelt auf Keramik
Nennstrom: 500 mA
Widerstand: 0,25 Ом
Zolltarifnummer: 8504 50 20 90
auf Bestellung: 554 St.
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68nH 5% 0805 (SWI0805CT68NJ-Hitano) Induktivität
Produktcode: 12863
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SWI0805CT_080418.pdf
68nH 5% 0805 (SWI0805CT68NJ-Hitano) Induktivität
Hersteller: Hitano
Drosseln > Induktivität 0805
Nennwert, H: 68 nH
Genauigkeit: ±5%
Größe: 0805
Eigenschaften: Drahtgewickelt auf Keramik; IDC max=500mA
Nennstrom: 500 mA
Widerstand: 0,38 Ом
Zolltarifnummer: 8504 50 20 90
auf Bestellung: 2937 St.
  • 2937 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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33nH 5% 0603 (SWI0603CT33NJ-Hitano) Induktivität
Produktcode: 14558
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SWI0603CT_080418.pdf
33nH 5% 0603 (SWI0603CT33NJ-Hitano) Induktivität
Hersteller: Hitano
Drosseln > Induktivität 0603
Nennwert, nH: 33 nH
Genauigkeit: ±5%
Bauform: 0603
Eigenschaften: Drahtgewickelt auf Keramik; IDC max=600mA
Nennstrom: 600 mA
Widerstand: 0,22 Ohm
Zolltarifnummer: 8504 50 20 90
auf Bestellung: 3670 St.
  • 3670 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.35 EUR
10+0.19 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6401TRPBF
Produktcode: 34344
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irlml6401pbf-datasheet.pdf
IRLML6401TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: -12 V
Drain-Strom Id, A: -4,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 830/10
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 7131 St.
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AnzahlPrivatkunde
1+0.29 EUR
10+0.19 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
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