APT10M11JVRU2 Microchip Technology
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Technische Details APT10M11JVRU2 Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W, Technology: POWER MOS 5®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 106A, Pulsed drain current: 576A, Power dissipation: 450W, Case: ISOTOP, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 11mΩ, Semiconductor structure: diode/transistor, Electrical mounting: screw, Topology: boost chopper, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT10M11JVRU2
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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APT10M11JVRU2 | Hersteller : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 100V 142A 4-Pin SOT-227 Tube |
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APT10M11JVRU2 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 106A Pulsed drain current: 576A Power dissipation: 450W Case: ISOTOP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 11mΩ Semiconductor structure: diode/transistor Electrical mounting: screw Topology: boost chopper Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT10M11JVRU2 | Hersteller : Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT10M11JVRU2 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 106A Pulsed drain current: 576A Power dissipation: 450W Case: ISOTOP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 11mΩ Semiconductor structure: diode/transistor Electrical mounting: screw Topology: boost chopper Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
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