APT10M11JVRU2 Microchip Technology
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Technische Details APT10M11JVRU2 Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 106A, On-state resistance: 11mΩ, Power dissipation: 450W, Case: ISOTOP, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: POWER MOS 5®, Gate-source voltage: ±30V, Topology: boost chopper, Pulsed drain current: 576A, Semiconductor structure: diode/transistor, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT10M11JVRU2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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APT10M11JVRU2 | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 100V 142A 4-Pin SOT-227 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| APT10M11JVRU2 | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W Drain-source voltage: 100V Drain current: 106A On-state resistance: 11mΩ Power dissipation: 450W Case: ISOTOP Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS 5® Gate-source voltage: ±30V Topology: boost chopper Pulsed drain current: 576A Semiconductor structure: diode/transistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT10M11JVRU2 | Hersteller : Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| APT10M11JVRU2 | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W Drain-source voltage: 100V Drain current: 106A On-state resistance: 11mΩ Power dissipation: 450W Case: ISOTOP Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS 5® Gate-source voltage: ±30V Topology: boost chopper Pulsed drain current: 576A Semiconductor structure: diode/transistor |
Produkt ist nicht verfügbar |