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FGA5065ADF

FGA5065ADF onsemi / Fairchild

FGA5065ADF_D-1809310.pdf Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors FS3TIGBT TO3PN 50A 650V
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Technische Details FGA5065ADF onsemi / Fairchild

Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-3PN, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20.8ns/62.4ns, Switching Energy: 1.35mJ (on), 309µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 72.2 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 268 W.

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FGA5065ADF Hersteller : Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003590677-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20.8ns/62.4ns
Switching Energy: 1.35mJ (on), 309µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 72.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 268 W
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