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Technische Details FP15R12W1T4_B3 Infineon Technologies
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A, Case: AG-EASY1B-1, Semiconductor structure: diode/transistor, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Technology: EasyPIM™ 1B, Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 15A, Pulsed collector current: 30A, Gate-emitter voltage: ±20V, Power dissipation: 130W, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote FP15R12W1T4_B3
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FP15R12W1T4-B3 | Hersteller : EUPEC | 15A/1200V/PIM |
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FP15R12W1T4_B3 Produktcode: 161328 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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FP15R12W1T4_B3 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A Case: AG-EASY1B-1 Semiconductor structure: diode/transistor Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EasyPIM™ 1B Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 15A Pulsed collector current: 30A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 130W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FP15R12W1T4_B3 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A Case: AG-EASY1B-1 Semiconductor structure: diode/transistor Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EasyPIM™ 1B Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 15A Pulsed collector current: 30A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 130W |
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