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FP15R12W1T4_B3

FP15R12W1T4_B3 INFINEON TECHNOLOGIES


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7AFB03D87438E8A15&compId=FP15R12W1T4B3.pdf?ci_sign=87de13b40d54fef0761dd0ea90a3bd47bf610608 Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A
Technology: EasyPIM™ 1B
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 130W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-EASY1B-1
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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3+44.02 EUR
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Technische Details FP15R12W1T4_B3 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A, Technology: EasyPIM™ 1B, Semiconductor structure: diode/transistor, Type of semiconductor module: IGBT, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Collector current: 15A, Pulsed collector current: 30A, Gate-emitter voltage: ±20V, Power dissipation: 130W, Max. off-state voltage: 1.2kV, Case: AG-EASY1B-1, Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FP15R12W1T4_B3 FP15R12W1T4_B3 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7AFB03D87438E8A15&compId=FP15R12W1T4B3.pdf?ci_sign=87de13b40d54fef0761dd0ea90a3bd47bf610608 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A
Technology: EasyPIM™ 1B
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 130W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-EASY1B-1
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
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Anzahl Preis
2+44.53 EUR
3+44.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FP15R12W1T4_B3 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_FP15R12W1T4_B3_DS_v02_03_EN.pdf IGBT Modules IGBT 1200V 15A
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10+37.86 EUR
120+37.03 EUR
504+36.68 EUR
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FP15R12W1T4-B3 Hersteller : EUPEC 15A/1200V/PIM
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