| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 66.45 EUR |
| 10+ | 45.05 EUR |
| 120+ | 44.07 EUR |
| 504+ | 43.65 EUR |
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Technische Details FP15R12W1T4_B3 Infineon Technologies
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A, Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge, Type of semiconductor module: IGBT, Power dissipation: 130W, Technology: EasyPIM™ 1B, Mechanical mounting: screw, Pulsed collector current: 30A, Max. off-state voltage: 1.2kV, Electrical mounting: Press-in PCB, Semiconductor structure: diode/transistor, Case: AG-EASY1B-1, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 15A.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| FP15R12W1T4-B3 | EUPEC | 15A/1200V/PIM |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FP15R12W1T4-B3 |
Hersteller: EUPEC
15A/1200V/PIM
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