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FP15R12W1T4_B3

FP15R12W1T4_B3 INFINEON TECHNOLOGIES


FP15R12W1T4B3.pdf Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Power dissipation: 130W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: AG-EASY1B-1
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
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Technische Details FP15R12W1T4_B3 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A, Collector current: 15A, Pulsed collector current: 30A, Power dissipation: 130W, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Technology: EasyPIM™ 1B, Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge, Case: AG-EASY1B-1, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: diode/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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FP15R12W1T4_B3 FP15R12W1T4_B3 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES FP15R12W1T4B3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Power dissipation: 130W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: AG-EASY1B-1
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
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FP15R12W1T4_B3 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_FP15R12W1T4_B3_DS_v02_03_EN-3361649.pdf IGBT Modules IGBT 1200V 15A
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FP15R12W1T4-B3 Hersteller : EUPEC 15A/1200V/PIM
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