FP15R12W1T4_B3
Produktcode: 161328
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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FP15R12W1T4_B3 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A Case: AG-EASY1B-1 Power dissipation: 130W Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 15A Pulsed collector current: 30A Gate-emitter voltage: ±20V Semiconductor structure: diode/transistor Technology: EasyPIM™ 1B Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FP15R12W1T4_B3 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules IGBT 1200V 15A |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FP15R12W1T4-B3 | Hersteller : EUPEC | 15A/1200V/PIM |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FP15R12W1T4_B3 | Hersteller : Infineon |
IGBT, 1200В, 15А, 130W Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт |
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