FP15R12W1T4_B3
Produktcode: 161328
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Weitere Produktangebote FP15R12W1T4_B3 nach Preis ab 43.65 EUR bis 66.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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FP15R12W1T4_B3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A Case: AG-EASY1B-1 Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 30A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 15A Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 130W Technology: EasyPIM™ 1B |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FP15R12W1T4_B3 | Infineon Technologies |
IGBT Modules IGBT 1200V 15A |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FP15R12W1T4-B3 | EUPEC | 15A/1200V/PIM |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FP15R12W1T4_B3 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A
Case: AG-EASY1B-1
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 130W
Technology: EasyPIM™ 1B
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A
Case: AG-EASY1B-1
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 130W
Technology: EasyPIM™ 1B
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 52.99 EUR |
| 3+ | 52.38 EUR |
| FP15R12W1T4_B3 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Modules IGBT 1200V 15A
IGBT Modules IGBT 1200V 15A
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 66.45 EUR |
| 10+ | 45.05 EUR |
| 120+ | 44.07 EUR |
| 504+ | 43.65 EUR |
| FP15R12W1T4-B3 |
Hersteller: EUPEC
15A/1200V/PIM
15A/1200V/PIM
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)


