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FQP33N10

FQP33N10 Fairchild

ONSM-S-A0003584718-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Produktcode: 30515
Hersteller: Fairchild
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Rds(on), Ohm: 0.052
Ciss, pF/Qg, nC: 1150/38
JHGF: THT
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FQP33N10 FQP33N10 Hersteller : ON Semiconductor 3664404519292549fqp33n10.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FQP33N10 FQP33N10 Hersteller : ON Semiconductor 3664404519292549fqp33n10.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FQP33N10 FQP33N10 Hersteller : ON Semiconductor 3664404519292549fqp33n10.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FQP33N10 FQP33N10 Hersteller : onsemi / Fairchild FQP33N10_D-2313990.pdf MOSFET 100V N-Channel QFET
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FQP33N10 FQP33N10 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003584718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP33N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 33
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 127
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FQP33N10 Hersteller : ON-Semicoductor ONSM-S-A0003584718-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 52mOhm; 33A; 127W; -55°C ~ 175°C; FQP33N10 TFQP33n10
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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20+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 20
FQP33N10 FQP33N10 Hersteller : ON Semiconductor 3664404519292549fqp33n10.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FQP33N10 FQP33N10 Hersteller : onsemi ONSM-S-A0003584718-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
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IRF5210PBF
Hersteller: IR
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Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 40 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2700/180
/: THT
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47 Ohm 5% 0,25W (CR025SJTB-47R)
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47 Ohm 5% 0,25W (CR025SJTB-47R)
Hersteller: Uni Ohm
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 47 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: вугільно-плівкові
verfügbar: 6633 Stück
erwartet: 10000 Stück
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10+0.01 EUR
100+ 0.0056 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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BC337-25 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 210 MHz
Uceo,V: 45
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,8
h21: 160
ZCODE: THT
verfügbar: 1096 Stück
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Produktcode: 3481		 EXR_080421.pdf
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470uF
Nennspannung: 25V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x16mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
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Produktcode: 3289		 description f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT
verfügbar: 707 Stück
erwartet: 100 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.88 EUR
10+ 0.79 EUR