GE06MPS06E

GE06MPS06E

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 17A (DC)
Capacitance @ Vr, F: 279pF @ 1V, 1MHz
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Surface Mount

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1000+ 3.71 EUR

Technische Details GE06MPS06E

Description: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-252-2, Current - Average Rectified (Io): 17A (DC), Capacitance @ Vr, F: 279pF @ 1V, 1MHz, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Diode Type: Silicon Carbide Schottky, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Preis GE06MPS06E ab 3.71 EUR bis 5.62 EUR

GE06MPS06E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor Inc.
Material: GE06MPS06E SMD Schottky diodes
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 17A (DC)
Capacitance @ Vr, F: 279pF @ 1V, 1MHz
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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