IRF7103TRPBF

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Produktcode: 19112

Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 50
Idd,A: 3
Rds(on), Ohm: 0.13
Ciss, pF/Qg, nC: 01.12.290
Bem.: 2N
JHGF: SMD

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Technische Details IRF7103TRPBF IR

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit entfalten einschränken alle	Preis ohne MwSt
	IRF7103TRPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R	auf Bestellung 3006 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 3006+ 0.38 EUR Mindestbestellmenge: 3006 kaufen
	IRF7103TRPBF	Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 3A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	auf Bestellung 2079 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 87+ 0.83 EUR 225+  0.32 EUR 237+  0.3 EUR Mindestbestellmenge: 87 kaufen
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	IRF7103TRPBF	Hersteller : Infineon Technologies	MOSFETs MOSFT DUAL NCh 50V 3.0A	auf Bestellung 36866 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 3+ 1.05 EUR 10+  1.04 EUR 100+  0.8 EUR 500+  0.68 EUR 1000+  0.61 EUR 2000+  0.59 EUR 4000+  0.57 EUR Mindestbestellmenge: 3 kaufen
	IRF7103TRPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R	auf Bestellung 40138 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 96+ 1.58 EUR 111+  1.32 EUR 160+  0.88 EUR 200+  0.85 EUR 500+  0.68 EUR 1000+  0.56 EUR 2000+  0.47 EUR 4000+  0.44 EUR 8000+  0.43 EUR Mindestbestellmenge: 96 kaufen
	IRF7103TRPBF	Hersteller : INFINEON	Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	auf Bestellung 198349 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	kaufen
	IRF7103TRPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R	auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	kaufen
	IRF7103TRPBF	Hersteller : INFINEON	Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	auf Bestellung 198349 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	kaufen
	IRF7103TRPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R	auf Bestellung 3006 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	kaufen
	IRF7103TRPBF	Hersteller : INFINEON	Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)	auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	kaufen
	IRF7103TRPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IRF7103TRPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IRF7103TRPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IRF7103TRPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen

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IRF7342TRPBF Produktcode: 31772

Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 55
Id,A: 3.4
Rds(on),Om: 0.105
Ciss, pF/Qg, nC: 690/26
Gebr.: 2P
/: SMD

verfügbar: 194 Stück

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20 Stück - stock Köln
174 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	0.4 EUR
10+	0.36 EUR
100+	0.3 EUR

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NDS9948 Produktcode: 100660

Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 60 V
Id,A: 2,3 A

auf Bestellung 71 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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10uF 25V +/-10% X7R 1206 (CL31B106KAHNNNE - Samsung) Produktcode: 72199

Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 10uF
Nennspannung: 25V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Gro?entyp: 1206

auf Bestellung 20397 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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33nF 50V X7R 5% 1206 4k/reel (C1206B333J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD) Produktcode: 16351

Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 33nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±5% J
Gro?entyp: 1206
№ 8: 8532240000

erwartet: 4000 Stück

einschränken entfalten

4000 Stück - erwartet 30.11.2024

Anzahl	Preis ohne MwSt
10+	0.06 EUR
100+	0.021 EUR
1000+	0.019 EUR
10000+	0.017 EUR

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P6KE27A Produktcode: 29918

Hersteller: MIC/Sunmate
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-15
P, Wt: 600
U Durchbruch: 27
n: 27 V
n: 0,5 µA
n: Односпрямований
Монтаж: THT

auf Bestellung 722 Stück:

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