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IRF830PBF

IRF830PBF Siliconix

packaging.pdf
Produktcode: 163342
Hersteller: Siliconix
Uds,V: 500 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 610/53
JHGF: THT
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IRF830PBF IRF830PBF Hersteller : VISHAY irf830.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
71+1.02 EUR
85+ 0.85 EUR
96+ 0.75 EUR
106+ 0.68 EUR
107+ 0.67 EUR
113+ 0.64 EUR
250+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 71
IRF830PBF IRF830PBF Hersteller : VISHAY irf830.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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71+1.02 EUR
85+ 0.85 EUR
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106+ 0.68 EUR
107+ 0.67 EUR
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IRF830PBF IRF830PBF Hersteller : Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
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123+1.28 EUR
125+ 1.21 EUR
126+ 1.16 EUR
147+ 0.95 EUR
500+ 0.61 EUR
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IRF830PBF IRF830PBF Hersteller : Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
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IRF830PBF IRF830PBF Hersteller : Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
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124+ 1.17 EUR
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Mindestbestellmenge: 108
IRF830PBF IRF830PBF Hersteller : Vishay Semiconductors packaging.pdf MOSFET 500V N-CH HEXFET
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2000+ 1.33 EUR
5000+ 1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 17
IRF830PBF IRF830PBF Hersteller : Vishay Siliconix packaging.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
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8+3.64 EUR
50+ 2.93 EUR
100+ 2.32 EUR
500+ 1.97 EUR
1000+ 1.6 EUR
2000+ 1.51 EUR
5000+ 1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 8
IRF830PBF IRF830PBF Hersteller : Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
auf Bestellung 1285 Stücke:
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IRF830PBF IRF830PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013276606-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF830PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
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IRF830PBF IRF830PBF Hersteller : Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
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IRF830PBF IRF830PBF Hersteller : Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
auf Bestellung 51 Stücke:
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IRF830PBF Hersteller : Vishay packaging.pdf MOSFET N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 74W; TO220AB
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IRF830PBF IRF830PBF Hersteller : Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
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IRF830PBF IRF830PBF Hersteller : Infineon Technologies 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
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IRF830 IRF830
Produktcode: 17846 		Hersteller : IR IRF830.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 5
Rds(on), Ohm: 01.04.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 610/53
JHGF: THT
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HEF40106BT
Produktcode: 19222		 HEF40106B-86738.pdf
HEF40106BT
Hersteller: NXP
IC > IC Logik
Gehäuse: SO-14
Beschreibung: 6 Trigger Schmitt TL2 -40/+85 3-15V
Analog 74хх: SMD
Strom.V: 4,5…15V
T°C: -40…+85°C
Тип логіч. елем.: Schmitt trigger
verfügbar: 519 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.18 EUR
10+ 0.17 EUR
100+ 0.13 EUR
IRF840A
Produktcode: 35892		 description 91065.pdf
IRF840A
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 8
Rds(on), Ohm: 0.85
Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38
JHGF: THT
verfügbar: 626 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.84 EUR
10+ 0.67 EUR
HEF4093BT.653
Produktcode: 37346		 hef4093b-353176.pdf
HEF4093BT.653
Hersteller: NXP
IC > IC Logik
Gehäuse: SO-14
Beschreibung: Quad 2-input NAND Schmitt trigger
Analog 74хх: SMD
Strom.V: 3...15 V
T°C: -40...+85°C
Тип логіч. елем.: Schmitt trigger
auf Bestellung 434 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.14 EUR
10+ 0.13 EUR
100+ 0.11 EUR
1N4007
Produktcode: 176822		 1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 38605 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1N4007 Dioden Brücke
Produktcode: 1574		 description
1N4007 Dioden Brücke
Hersteller: YJ/Microsemi
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 1
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
№ 7: 8541100090
Produkt ist nicht verfügbar