IRFD9110 Vishay
Produktcode: 59118
Hersteller: VishayGehäuse: HVMDIP
Uds,V: 100
Id,A: 0.7
Rds(on),Om: 1.2
Ciss, pF/Qg, nC: 200/8.7
/: THT
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.38 EUR |
10+ | 0.34 EUR |
100+ | 0.28 EUR |
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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IRFD9110PBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 9200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD9110PBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 9200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD9110PBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD9110PBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD9110PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4 Case: DIP4 Mounting: THT Drain current: -0.49A On-state resistance: 1.2Ω Drain-source voltage: -100V Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 8.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 518 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFD9110PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4 Case: DIP4 Mounting: THT Drain current: -0.49A On-state resistance: 1.2Ω Drain-source voltage: -100V Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 8.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
auf Bestellung 518 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD9110PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors | MOSFETs HVMDIP 100V .7A P-CH MOSFET |
auf Bestellung 2285 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFD9110PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP Packaging: Bulk Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1031 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFD9110PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFD9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1.2 ohm, DIP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm |
auf Bestellung 2790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD9110PBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD9110PBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 9107 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD9110 | Hersteller : Harris Corporation |
Description: 0.7A 100V 1.200 OHM P-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
auf Bestellung 15652 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFD9110 | Hersteller : Siliconix |
P-MOSFET 0.7A 100V 1.3W 1.2Ω IRFD9110 TIRFD9110 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFD9110 | Hersteller : onsemi / Fairchild | MOSFETs |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFD9110 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFD9110 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD9110PBF |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFD9110 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
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IRFD9110PBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP |
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IRFD110PBF Produktcode: 98653 |
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HVMDIP-4
Uds,V: 100
Idd,A: 01.07.2000
Rds(on), Ohm: 0.54
Ciss, pF/Qg, nC: 03.08.180
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HVMDIP-4
Uds,V: 100
Idd,A: 01.07.2000
Rds(on), Ohm: 0.54
Ciss, pF/Qg, nC: 03.08.180
JHGF: THT
verfügbar: 127 Stück
25 Stück - stock Köln
102 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
102 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.4 EUR |
10+ | 0.38 EUR |
100+ | 0.36 EUR |
270 Ohm 5% 3W Ausfuhr. (MOR300SJTB-270R-Hitano) Produktcode: 50636 |
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 3W 4W
Resistenz: 270 Ohm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%, ±300ppm
P Nenn.,W: 3W
U Betriebs.,V: 500V
Abmessungen: 15x5mm, DAusfuhr.=0,76mm
Typ: Metalloxid miniatur
-55...+200°C
Widerstande THT > Widerstande THT - 3W 4W
Resistenz: 270 Ohm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%, ±300ppm
P Nenn.,W: 3W
U Betriebs.,V: 500V
Abmessungen: 15x5mm, DAusfuhr.=0,76mm
Typ: Metalloxid miniatur
-55...+200°C
auf Bestellung 215 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 1000 Stück:
1000 Stück - erwartetAnzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.06 EUR |
10+ | 0.044 EUR |
100+ | 0.035 EUR |