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IRFD110PBF

IRFD110PBF Siliconix

sihfd110.pdf
Produktcode: 98653
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Hersteller: Siliconix
Gehäuse: HVMDIP-4
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 0,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 180/8,3
Montage: THT
verfügbar: 126 St.
  • 25 St. - stock Köln
  • 101 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFD110PBF Vishay/IR sihfd110.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 180 @ 25, Qg, нКл = 8,3 @ 10 В, Rds = 540 мОм @ 600 мA, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,3, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: DIP-4 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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IRFD110PBF IRFD110PBF Vishay Siliconix sihfd110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IRFD110PBF IRFD110PBF Vishay / Siliconix sihfd110.pdf MOSFETs HVMDIP 100V 1A N-CH MOSFET
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IRFD110PBF sihfd110.pdf
Hersteller: Vishay/IR
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 180 @ 25, Qg, нКл = 8,3 @ 10 В, Rds = 540 мОм @ 600 мA, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,3, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: DIP-4 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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IRFD110PBF sihfd110.pdf
IRFD110PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
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IRFD110PBF sihfd110.pdf
IRFD110PBF
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs HVMDIP 100V 1A N-CH MOSFET
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E20/10/6 N87 (B66311-G-X187-Epcos) Kern
Produktcode: 23176
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e_20_10_6.pdf
E20/10/6 N87 (B66311-G-X187-Epcos) KernE20/10/6 N87 (B66311-G-X187-Epcos) Kern
E20/10/6 N87 (B66311-G-X187-Epcos) KernE20/10/6 N87 (B66311-G-X187-Epcos) Kern
Hersteller: Epcos
Transformatoren, Netzfilter, Drosseln > Kerne, Rahmen, Klammern
Gruppe: Kern
Serie: EE/EF
Typ: E-förmig
Baugröße: E20/10/6
Beschreibung: Kern ohne Spalt Ui = 2200
Material: N87
Permeabilität, µi: 2200 µi
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BH-EF20-1-8R (PHL)
Produktcode: 47060
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BH-EF20-1-8R (PHL)BH-EF20-1-8R (PHL)
BH-EF20-1-8R (PHL)BH-EF20-1-8R (PHL)
Hersteller: Cosmo Ferrites
Transformatoren, Netzfilter, Drosseln > Kerne, Rahmen, Klammern
Gruppe: Spulenkörper
Serie: EE/EF
Typ: E-förmig
Baugröße: 20/10/6
Beschreibung: Spulenkörper EE20/10/6 (EF20) horiz. 1 Sekt. 8 Anschl. [Phenolic]
Material: Kunststoff
auf Bestellung 90 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP10NK60ZFP
Produktcode: 4775
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description STP10NK60Z.pdf
STP10NK60ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 10 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Bemerkung: Ізольований корпус
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 326 St.
  • 3 St. - stock Köln
  • 323 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
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27 Ohm 5W 5% (SQP50JB-27R)
Produktcode: 11189
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SQP_080911.pdf
27 Ohm 5W 5% (SQP50JB-27R)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - Zement-, 2 - 25W
Nennwert: 27 Ohm
Leistung: 5 W
Toleranz: ±5%
U Betriebs. max., V: 750 V
Abmessungen, mm: 22,0x10,0x9,5; dвив. = 0,8
Typ: виводні, цементні, дротяні
auf Bestellung 195 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.2 EUR
10+0.17 EUR
100+0.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX84-C10
Produktcode: 28998
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BZX84.pdf
BZX84-C10
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOT-23
Stabilisierungsspannung Vz, V: 10 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: SMD
Temperaturkoeffizient: 6.4mV/K
verfügbar: 2081 St.
  • 120 St. - stock Köln
  • 1961 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
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100+0.033 EUR
1000+0.032 EUR
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