IRFD9120PBF
Produktcode: 31845
Hersteller: IRGehäuse: HD-1
Uds,V: 100
Id,A: 1
Rds(on),Om: 0.8
Ciss, pF/Qg, nC: 390/18
auf Bestellung 7 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.57 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote IRFD9120PBF nach Preis ab 0.49 EUR bis 3.64 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFD9120PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.7A; 1.3W; DIP4 Case: DIP4 Mounting: THT Drain current: -700mA On-state resistance: 0.6Ω Drain-source voltage: -100V Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 18nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 381 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRFD9120PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.7A; 1.3W; DIP4 Case: DIP4 Mounting: THT Drain current: -700mA On-state resistance: 0.6Ω Drain-source voltage: -100V Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 18nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
auf Bestellung 381 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRFD9120PBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 414 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRFD9120PBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 414 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRFD9120PBF | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFETs HVMDIP 100V 1A P-CH MOSFET |
auf Bestellung 7275 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRFD9120PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V |
auf Bestellung 36826 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRFD9120PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFD9120PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.6 ohm, DIP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 3045 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
IRFD9120PBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
IRFD9120PBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mit diesem Produkt kaufen
IRFD110PBF Produktcode: 98653 |
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HVMDIP-4
Uds,V: 100
Idd,A: 01.07.2000
Rds(on), Ohm: 0.54
Ciss, pF/Qg, nC: 03.08.180
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HVMDIP-4
Uds,V: 100
Idd,A: 01.07.2000
Rds(on), Ohm: 0.54
Ciss, pF/Qg, nC: 03.08.180
JHGF: THT
verfügbar: 127 Stück
25 Stück - stock Köln
102 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
102 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.4 EUR |
10+ | 0.38 EUR |
100+ | 0.36 EUR |
P6A10 (P600M) Produktcode: 44068 |
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: R-6
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 6
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: P6A05, P6A1, P6A2, P6A4, P6A6, P6A8, P600A, P600B, P600D, P600G, P600J, P600K, P600M
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: R-6
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 6
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: P6A05, P6A1, P6A2, P6A4, P6A6, P6A8, P600A, P600B, P600D, P600G, P600J, P600K, P600M
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 472 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.16 EUR |
10+ | 0.12 EUR |
100+ | 0.1 EUR |
1000+ | 0.09 EUR |
IRLML0100TRPBF Produktcode: 38413 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 100
Idd,A: 01.06.2015
Rds(on), Ohm: 0.22
Ciss, pF/Qg, nC: 05.02.290
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 100
Idd,A: 01.06.2015
Rds(on), Ohm: 0.22
Ciss, pF/Qg, nC: 05.02.290
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 2858 Stück
180 Stück - stock Köln
2678 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
2678 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.24 EUR |
10+ | 0.2 EUR |
100+ | 0.14 EUR |
UC3845BD1R2G Produktcode: 31856 |
Hersteller: ON
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 30V
I-ausg., A: 1,0A
Fosc, kHz: 50
Temperaturbereich: 0…+70°C
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 30V
I-ausg., A: 1,0A
Fosc, kHz: 50
Temperaturbereich: 0…+70°C
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.42 EUR |
10+ | 0.29 EUR |
LM311D Produktcode: 24944 |
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SOIC-8
Vc, V: 3,5…30V
Vio, mV(Biasspannung): 7,5
Temperaturbereich: 0…+70°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 1; tз, нс: 115; Typ Ausgang: OK/OЭ; Ucm, mV. 7,5; Iverbr., mA, 7,5;
ZCODE: 1
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SOIC-8
Vc, V: 3,5…30V
Vio, mV(Biasspannung): 7,5
Temperaturbereich: 0…+70°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 1; tз, нс: 115; Typ Ausgang: OK/OЭ; Ucm, mV. 7,5; Iverbr., mA, 7,5;
ZCODE: 1
verfügbar: 20 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.29 EUR |