IRFD9120PBF
Produktcode: 31845
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: HD-1
Uds,V: 100
Id,A: 1
Rds(on),Om: 0.8
Ciss, pF/Qg, nC: 390/18
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFD9120PBF | Vishay Siliconix |
P-CH. 100V 1.0A HVMDIP Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IRFD9120PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
IRFD9120PBF | Vishay / Siliconix |
MOSFETs HVMDIP 100V 1A P-CH MOSFET |
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| IRFD9120PBF |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
P-CH. 100V 1.0A HVMDIP Транзистори
P-CH. 100V 1.0A HVMDIP Транзистори
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| IRFD9120PBF |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
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| IRFD9120PBF |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs HVMDIP 100V 1A P-CH MOSFET
MOSFETs HVMDIP 100V 1A P-CH MOSFET
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| FDS4935A Produktcode: 40550
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|
|
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 7
Rds(on),Om: 0.023
Ciss, pF/Qg, nC: 1233/15
Gebr.: 2P
/: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 7
Rds(on),Om: 0.023
Ciss, pF/Qg, nC: 1233/15
Gebr.: 2P
/: SMD
verfügbar: 143 St.
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.49 EUR |
| 10+ | 0.48 EUR |