IRFR2405PBF
Produktcode: 39791
Hersteller: IRUds,V: 55 V
Idd,A: 56 A
Rds(on), Ohm: 0,016 A
Ciss, pF/Qg, nC: 2430/70
JHGF: SMD
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Technische Details IRFR2405PBF IR
- MOSFET, N, 55V, 56A, D-PAK
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:55V
- Cont Current Id:56A
- On State Resistance:0.016ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:DPAK
- Termination Type:SMD
- Alternate Case Style:D-PAK
- Junction to Case Thermal Resistance A:1.4`C/W
- Max Voltage Vds:55V
- Power Dissipation:110W
- Power Dissipation Pd:110W
- Pulse Current Idm:220A
- SMD Marking:IRFR2405
- Transistor Case Style:D-PAK
Weitere Produktangebote IRFR2405PBF nach Preis ab 0.92 EUR bis 1.22 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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IRFR2405PBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 56 А; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 2430 @ 25; Qg, нКл = 110 @ 10 В; Rds = 16 мОм @ 34 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D-PAK |
auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR2405PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFR2405PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFR2405PBF | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 16mOhms 70nC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFR2405PBF | Hersteller : Infineon (IRF) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 56A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of channel: enhanced |
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IRLR2905TRPBF Produktcode: 86018 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: DPAK-3
Uds,V: 55
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: DPAK-3
Uds,V: 55
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 4056 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.5 EUR |
10+ | 0.45 EUR |
IRLR024NTRPBF Produktcode: 22061 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 2062 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.26 EUR |
10+ | 0.23 EUR |
IRFR2905ZPBF Produktcode: 40617 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 14.5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1380/29
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 14.5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1380/29
JHGF: SMD
verfügbar: 49 Stück
erwartet:
200 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.6 EUR |
10+ | 0.54 EUR |
TMB12A05 Produktcode: 110053 |
Hersteller: Китай
Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Lautsprecher, Mikrofone, Summer
Typ: Lautsprecher, Lautemitter, Buzzer
Beschreibung: Buzzer elektromagnetisch, eingebauter Generator
Abmessungen: Ø12mm
Функціональна особливість: З генератором
Робоча напруга: 5 VDC
Резонансна частота: 2300 Hz
Рівень звуку: 85 dB
Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Lautsprecher, Mikrofone, Summer
Typ: Lautsprecher, Lautemitter, Buzzer
Beschreibung: Buzzer elektromagnetisch, eingebauter Generator
Abmessungen: Ø12mm
Функціональна особливість: З генератором
Робоча напруга: 5 VDC
Резонансна частота: 2300 Hz
Рівень звуку: 85 dB
auf Bestellung 3810 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)STN4NF03L Produktcode: 14725 |
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Uds,V: 30
Idd,A: 06.05.2015
Rds(on), Ohm: 0.039
Ciss, pF/Qg, nC: 05.06.330
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Uds,V: 30
Idd,A: 06.05.2015
Rds(on), Ohm: 0.039
Ciss, pF/Qg, nC: 05.06.330
JHGF: SMD
verfügbar: 604 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.42 EUR |
10+ | 0.39 EUR |
100+ | 0.26 EUR |