IRFR2405PBF

IRFR2405PBF


irfr2405-datasheet.pdf
Produktcode: 39791
Hersteller: IR
Uds,V: 55 V
Idd,A: 56 A
Rds(on), Ohm: 0,016 A
Ciss, pF/Qg, nC: 2430/70
JHGF: SMD
auf Bestellung 140 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRFR2405PBF IR

  • MOSFET, N, 55V, 56A, D-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:56A
  • On State Resistance:0.016ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:DPAK
  • Termination Type:SMD
  • Alternate Case Style:D-PAK
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.4`C/W
  • Max Voltage Vds:55V
  • Power Dissipation:110W
  • Power Dissipation Pd:110W
  • Pulse Current Idm:220A
  • SMD Marking:IRFR2405
  • Transistor Case Style:D-PAK

Weitere Produktangebote IRFR2405PBF nach Preis ab 0.92 EUR bis 1.22 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IRFR2405PBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irfr2405pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562da91b2079 N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 56 А; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 2430 @ 25; Qg, нКл = 110 @ 10 В; Rds = 16 мОм @ 34 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D-PAK
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+1.22 EUR
10+ 1.05 EUR
100+ 0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IRFR2405PBF IRFR2405PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr2405-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRFR2405PBF IRFR2405PBF Hersteller : Infineon Technologies irfr2405pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562da91b2079 Description: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRFR2405PBF IRFR2405PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFR2405_DataSheet_v01_01_EN-1732690.pdf MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 16mOhms 70nC
Produkt ist nicht verfügbar
IRFR2405PBF IRFR2405PBF Hersteller : Infineon (IRF) irfr2405.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar

Mit diesem Produkt kaufen

IRLR2905TRPBF
Produktcode: 86018
description irlr2905pbf-datashet.pdf
IRLR2905TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: DPAK-3
Uds,V: 55
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 4056 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.5 EUR
10+ 0.45 EUR
IRLR024NTRPBF
Produktcode: 22061
description irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d
IRLR024NTRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 2062 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.26 EUR
10+ 0.23 EUR
IRFR2905ZPBF
Produktcode: 40617
irfr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535630e7222088
IRFR2905ZPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 14.5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1380/29
JHGF: SMD
verfügbar: 49 Stück
erwartet: 200 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.6 EUR
10+ 0.54 EUR
TMB12A05
Produktcode: 110053
TMB12A05_.pdf
TMB12A05
Hersteller: Китай
Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Lautsprecher, Mikrofone, Summer
Typ: Lautsprecher, Lautemitter, Buzzer
Beschreibung: Buzzer elektromagnetisch, eingebauter Generator
Abmessungen: Ø12mm
Функціональна особливість: З генератором
Робоча напруга: 5 VDC
Резонансна частота: 2300 Hz
Рівень звуку: 85 dB
auf Bestellung 3810 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STN4NF03L
Produktcode: 14725
STN4NF03L.pdf
STN4NF03L
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Uds,V: 30
Idd,A: 06.05.2015
Rds(on), Ohm: 0.039
Ciss, pF/Qg, nC: 05.06.330
JHGF: SMD
verfügbar: 604 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.42 EUR
10+ 0.39 EUR
100+ 0.26 EUR