MRF581 Advanced Semiconductor, Inc.
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3+ | 19.79 EUR |
| 10+ | 17.86 EUR |
| 25+ | 17.03 EUR |
| 100+ | 14.79 EUR |
| 500+ | 12.87 EUR |
| 1000+ | 11.36 EUR |
| 2500+ | 10.97 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details MRF581 Advanced Semiconductor, Inc.
Description: RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X, Packaging: Bulk, Package / Case: Micro-X ceramic (84C), Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 13dB ~ 15.5dB, Power - Max: 1.25W, Current - Collector (Ic) (Max): 200mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V, Frequency - Transition: 5GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz, Supplier Device Package: Micro-X ceramic (84C).
Weitere Produktangebote MRF581
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| MRF581 | Hersteller : Microsemi |
 TO-55 |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||
| MRF581 | Hersteller : MOT |
|
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||
 |
MRF581 | Hersteller : Microsemi Corporation |
Description: RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X Packaging: Bulk Package / Case: Micro-X ceramic (84C) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13dB ~ 15.5dB Power - Max: 1.25W Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz Supplier Device Package: Micro-X ceramic (84C) |
Produkt ist nicht verfügbar |