MRF581 Advanced Semiconductor, Inc.
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 12.76 EUR |
| 10+ | 10.95 EUR |
| 25+ | 9.91 EUR |
| 100+ | 9.12 EUR |
| 250+ | 8.57 EUR |
| 500+ | 8.04 EUR |
| 1000+ | 7.22 EUR |
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Technische Details MRF581 Advanced Semiconductor, Inc.
Description: RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X, Packaging: Bulk, Package / Case: Micro-X ceramic (84C), Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 13dB ~ 15.5dB, Power - Max: 1.25W, Current - Collector (Ic) (Max): 200mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V, Frequency - Transition: 5GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz, Supplier Device Package: Micro-X ceramic (84C).
Weitere Produktangebote MRF581
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| MRF581 | Hersteller : Microsemi |
 TO-55 |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| MRF581 | Hersteller : MOT |
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auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MRF581 | Hersteller : Microsemi Corporation |
Description: RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X Packaging: Bulk Package / Case: Micro-X ceramic (84C) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13dB ~ 15.5dB Power - Max: 1.25W Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz Supplier Device Package: Micro-X ceramic (84C) |
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