RM2302

RM2302

Hersteller: Rectron
Trans MOSFET N-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23
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Technische Details RM2302

Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23, Manufacturer: Rectron USA, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, Vgs (Max): ±12V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: SOT-23, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3.

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Trans MOSFET N-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23
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MOSFET SOT-23 MOSFET
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RM2302
Hersteller: Rectron USA
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23
Manufacturer: Rectron USA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs (Max): ±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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