A2G22S160-01SR3 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET 48V NI400
Package / Case: NI-400S-2S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Test: 150 mA
Voltage - Test: 48 V
Voltage - Rated: 125 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: NI-400S-2S
Gain: 19.6dB
Power - Output: 32W
Frequency: 2.11GHz
Mounting Type: Surface Mount
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Technische Details A2G22S160-01SR3 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET 48V NI400, Package / Case: NI-400S-2S, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Test: 150 mA, Voltage - Test: 48 V, Voltage - Rated: 125 V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: NI-400S-2S, Gain: 19.6dB, Power - Output: 32W, Frequency: 2.11GHz, Mounting Type: Surface Mount.
Weitere Produktangebote A2G22S160-01SR3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| A2G22S160-01SR3 | NXP / Freescale |
RF JFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 32 W Avg., 48 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| A2G22S160-01SR3 |
|
Hersteller: NXP / Freescale
RF JFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 32 W Avg., 48 V
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