Technische Details A2G22S190-01SR3 NXP USA Inc.
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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A2G22S190-01SR3 | NXP Semiconductors |
 RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| A2G22S190-01SR3 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V
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