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Technische Details A2G22S190-01SR3 NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V.
Weitere Produktangebote A2G22S190-01SR3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| A2G22S190-01SR3 | NXP USA Inc. |
 Description: RF MOSFETPackaging: Tape & Reel (TR) |
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A2G22S190-01SR3 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V |
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Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| A2G22S190-01SR3 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V
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