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Technische Details A2G22S190-01SR3 NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V.
Weitere Produktangebote A2G22S190-01SR3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| A2G22S190-01SR3 | Hersteller : NXP Semiconductors |
 Trans RF MOSFET 125V T/R |
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| A2G22S190-01SR3 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
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A2G22S190-01SR3 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V |
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