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Technische Details A2I09VD030NR1 NXP USA Inc.
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-1300 MHz, 4 W AVG., 48 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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A2I09VD030NR1 | NXP Semiconductors |
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-1300 MHz, 4 W AVG., 48 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| A2I09VD030NR1 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-1300 MHz, 4 W AVG., 48 V
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-1300 MHz, 4 W AVG., 48 V
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