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A2I09VD050GNR1 NXP USA Inc.


A2I09VD050N.pdf Hersteller: NXP USA Inc.
Description: AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
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Technische Details A2I09VD050GNR1 NXP USA Inc.

RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 6.3 W Avg., 48 V.

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A2I09VD050GNR1 A2I09VD050GNR1 Hersteller : NXP Semiconductors A2I09VD050N-1501453.pdf RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 6.3 W Avg., 48 V
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