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A2I20H060GNR1

A2I20H060GNR1 NXP USA Inc.


Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-270-15 Variant, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.84GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 12W
Gain: 28.9dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270WBG-15
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 24 mA
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Technische Details A2I20H060GNR1 NXP USA Inc.

Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-15, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-270-15 Variant, Gull Wing, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 1.84GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 12W, Gain: 28.9dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: TO-270WBG-15, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 24 mA.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
A2I20H060GNR1 A2I20H060GNR1 Hersteller : NXP Semiconductors A2I20H060N-3138169.pdf RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1805-2170 MHz, 12 W Avg., 28 V
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