A2I20H080NR1 NXP Semiconductors
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Technische Details A2I20H080NR1 NXP Semiconductors
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1800-2200 MHz, 12.5 W Avg., 30 V.
Weitere Produktangebote A2I20H080NR1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| A2I20H080NR1 | Hersteller : NXP USA Inc. |
 Description: AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR |
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A2I20H080NR1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1800-2200 MHz, 12.5 W Avg., 30 V |
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