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A2I20H080NR1 NXP USA Inc.

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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
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Technische Details A2I20H080NR1 NXP USA Inc.

RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1800-2200 MHz, 12.5 W Avg., 30 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
A2I20H080NR1 A2I20H080NR1 NXP Semiconductors A2I20H080N-1125916.pdf RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1800-2200 MHz, 12.5 W Avg., 30 V
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