A2I25D025NR1 NXP Semiconductors
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 76.15 EUR |
| 10+ | 74.46 EUR |
| 500+ | 74.43 EUR |
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Technische Details A2I25D025NR1 NXP Semiconductors
Description: NXP - A2I25D025NR1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 3.2 W, 2100 MHz, 2900 MHz, TO-270WB, Drain-Source-Spannung Vds: 65, Dauer-Drainstrom Id: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Verlustleistung Pd: 3.2, Betriebsfrequenz, max.: 2900, Betriebsfrequenz, min.: 2100, Bauform - HF-Transistor: TO-270WB, Anzahl der Pins: 17, Produktpalette: A2I25D025, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote A2I25D025NR1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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A2I25D025NR1 | NXP USA Inc. |
 Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-17 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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A2I25D025NR1 | NXP |
Description: NXP - A2I25D025NR1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 3.2 W, 2100 MHz, 2900 MHz, TO-270WB Drain-Source-Spannung Vds: 65 Dauer-Drainstrom Id: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden Verlustleistung Pd: 3.2 Betriebsfrequenz, max.: 2900 Betriebsfrequenz, min.: 2100 Bauform - HF-Transistor: TO-270WB Anzahl der Pins: 17 Produktpalette: A2I25D025 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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A2I25D025NR1 | NXP |
Description: NXP - A2I25D025NR1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 3.2 W, 2100 MHz, 2900 MHz, TO-270WB SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| A2I25D025NR1 | NXP Semiconductors |
RF Amp Dual Power Amp 2.9GHz 32V 19-Pin(17+2Tab) TO-270 WB EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| A2I25D025NR1 |
|
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-17
Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-17
Produkt ist nicht verfügbar
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| A2I25D025NR1 |
|
Hersteller: NXP
Description: NXP - A2I25D025NR1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 3.2 W, 2100 MHz, 2900 MHz, TO-270WB
Drain-Source-Spannung Vds: 65
Dauer-Drainstrom Id: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 3.2
Betriebsfrequenz, max.: 2900
Betriebsfrequenz, min.: 2100
Bauform - HF-Transistor: TO-270WB
Anzahl der Pins: 17
Produktpalette: A2I25D025
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: NXP - A2I25D025NR1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 3.2 W, 2100 MHz, 2900 MHz, TO-270WB
Drain-Source-Spannung Vds: 65
Dauer-Drainstrom Id: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 3.2
Betriebsfrequenz, max.: 2900
Betriebsfrequenz, min.: 2100
Bauform - HF-Transistor: TO-270WB
Anzahl der Pins: 17
Produktpalette: A2I25D025
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| A2I25D025NR1 |
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Hersteller: NXP
Description: NXP - A2I25D025NR1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 3.2 W, 2100 MHz, 2900 MHz, TO-270WB
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: NXP - A2I25D025NR1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 3.2 W, 2100 MHz, 2900 MHz, TO-270WB
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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| A2I25D025NR1 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF Amp Dual Power Amp 2.9GHz 32V 19-Pin(17+2Tab) TO-270 WB EP T/R
RF Amp Dual Power Amp 2.9GHz 32V 19-Pin(17+2Tab) TO-270 WB EP T/R
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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