Produkte > NXP USA INC. > A2I25H060GNR1
A2I25H060GNR1

A2I25H060GNR1 NXP USA Inc.

A2I25H060N.pdf
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: IC TRANS RF LDMOS
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details A2I25H060GNR1 NXP USA Inc.

RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 2300-2690 MHz, 10.5 W AVG., 28 V.

Weitere Produktangebote A2I25H060GNR1

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
A2I25H060GNR1 A2I25H060GNR1 NXP Semiconductors A2I25H060N-1517202.pdf RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 2300-2690 MHz, 10.5 W AVG., 28 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A2I25H060GNR1 A2I25H060N-1517202.pdf
A2I25H060GNR1
Hersteller: NXP Semiconductors
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 2300-2690 MHz, 10.5 W AVG., 28 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH