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A2I25H060GNR1

A2I25H060GNR1 NXP USA Inc.

A2I25H060N.pdf Hersteller: NXP USA Inc.
Description: IC TRANS RF LDMOS
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Technische Details A2I25H060GNR1 NXP USA Inc.

RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 2300-2690 MHz, 10.5 W AVG., 28 V.

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A2I25H060GNR1 A2I25H060GNR1 Hersteller : NXP Semiconductors A2I25H060N-1517202.pdf RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 2300-2690 MHz, 10.5 W AVG., 28 V
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