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A2I35H060GNR1

A2I35H060GNR1 NXP USA Inc.

A2I35H060N.pdf Hersteller: NXP USA Inc.
Description: AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
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Technische Details A2I35H060GNR1 NXP USA Inc.

RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3400-3800 MHz, 10 W Avg., 28 V.

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A2I35H060GNR1 Hersteller : NXP Semiconductors A2I35H060N-1517283.pdf RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3400-3800 MHz, 10 W Avg., 28 V
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