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A2I35H060NR1

A2I35H060NR1 NXP Semiconductors

21a2i35h060n.pdf Hersteller: NXP Semiconductors
RF Amp Dual Power Amp 3.8GHz 32V 19-Pin(17+2Tab) TO-270 WB EP T/R
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Technische Details A2I35H060NR1 NXP Semiconductors

RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3400-3800 MHz, 10 W Avg., 28 V.

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A2I35H060NR1 Hersteller : NXP USA Inc. A2I35H060N.pdf Description: AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
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A2I35H060NR1 Hersteller : NXP Semiconductors A2I35H060N-1517283.pdf RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3400-3800 MHz, 10 W Avg., 28 V
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