A2I35H060NR1 NXP Semiconductors
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Technische Details A2I35H060NR1 NXP Semiconductors
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3400-3800 MHz, 10 W Avg., 28 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| A2I35H060NR1 | Hersteller : NXP USA Inc. |
 Description: AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR |
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| A2I35H060NR1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3400-3800 MHz, 10 W Avg., 28 V |
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