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A2T18H160-24SR3 NXP USA Inc.

Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Frequency: 1.81GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: NI-780S-4L2L
Packaging: Bulk
Current - Test: 400 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: NI-780S-4L2L
Technology: LDMOS
Gain: 17.9dB
Power - Output: 28W
Configuration: Dual

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Technische Details A2T18H160-24SR3 NXP USA Inc.

Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780, Current - Test: 400 mA, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 65 V, Supplier Device Package: NI-780S-4L2L, Technology: LDMOS, Gain: 17.9dB, Power - Output: 28W, Configuration: Dual, Frequency: 1.81GHz, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: NI-780S-4L2L, Packaging: Tape & Reel (TR).

Weitere Produktangebote A2T18H160-24SR3

Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	A2T18H160-24SR3	NXP USA Inc.	Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Current - Test: 400 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: NI-780S-4L2L Technology: LDMOS Gain: 17.9dB Power - Output: 28W Configuration: Dual Frequency: 1.81GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-780S-4L2L Packaging: Tape & Reel (TR)	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
	A2T18H160-24SR3	NXP / Freescale	RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 28 W Avg., 28 V	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

A2T18H160-24SR3

Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Current - Test: 400 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: NI-780S-4L2L
Technology: LDMOS
Gain: 17.9dB
Power - Output: 28W
Configuration: Dual
Frequency: 1.81GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: NI-780S-4L2L
Packaging: Tape & Reel (TR)

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A2T18H160-24SR3

Hersteller: NXP / Freescale
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 28 W Avg., 28 V

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