A2T18H160-24SR3 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Packaging: Bulk
Package / Case: NI-780S-4L2L
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.81GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 28W
Gain: 17.9dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780S-4L2L
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 400 mA
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 211.57 EUR |
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Technische Details A2T18H160-24SR3 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-780S-4L2L, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1.81GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 28W, Gain: 17.9dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-780S-4L2L, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 400 mA.
Weitere Produktangebote A2T18H160-24SR3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| A2T18H160-24SR3 | Hersteller : NXP Semiconductors |
High Reliability RF FET IC |
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| A2T18H160-24SR3 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780S-4L2L Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.81GHz Configuration: Dual Power - Output: 28W Gain: 17.9dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S-4L2L Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 400 mA |
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A2T18H160-24SR3 | Hersteller : NXP / Freescale |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 28 W Avg., 28 V |
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