A2T18S160W31GSR3 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Current - Test: 1 A
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: NI-780GS-2L2LA
Technology: LDMOS
Gain: 19.9dB
Power - Output: 32W
Frequency: 1.88GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: NI-780GS-2L2LA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details A2T18S160W31GSR3 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780, Current - Test: 1 A, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 65 V, Supplier Device Package: NI-780GS-2L2LA, Technology: LDMOS, Gain: 19.9dB, Power - Output: 32W, Frequency: 1.88GHz, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: NI-780GS-2L2LA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote A2T18S160W31GSR3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| A2T18S160W31GSR3 | NXP / Freescale |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1995 MHz, 32 W Avg., 28 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| A2T18S160W31GSR3 |
|
Hersteller: NXP / Freescale
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1995 MHz, 32 W Avg., 28 V
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