A2T18S260W12NR3 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM880X-2L2L
Current - Test: 1.5 A
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: OM-880X-2L2L
Technology: LDMOS
Gain: 18.7dB
Power - Output: 280W
Frequency: 1.805GHz ~ 1.88GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Current Rating (Amps): 10µA
Package / Case: OM-880X-2L2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details A2T18S260W12NR3 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM880X-2L2L, Current - Test: 1.5 A, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 65 V, Supplier Device Package: OM-880X-2L2L, Technology: LDMOS, Gain: 18.7dB, Power - Output: 280W, Frequency: 1.805GHz ~ 1.88GHz, Mounting Type: Chassis Mount, Current Rating (Amps): 10µA, Package / Case: OM-880X-2L2L, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote A2T18S260W12NR3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
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A2T18S260W12NR3 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| A2T18S260W12NR3 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen
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