A2T20H330W24SR6 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230
Current - Test: 700 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L
Technology: LDMOS
Gain: 16.5dB
Power - Output: 58W
Configuration: Dual
Frequency: 1.88GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: NI-1230-4LS2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details A2T20H330W24SR6 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230, Current - Test: 700 mA, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 65 V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L, Technology: LDMOS, Gain: 16.5dB, Power - Output: 58W, Configuration: Dual, Frequency: 1.88GHz, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: NI-1230-4LS2L, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote A2T20H330W24SR6
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| A2T20H330W24SR6 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1880-2025 MHz, 58 W Avg., 28 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| A2T20H330W24SR6 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1880-2025 MHz, 58 W Avg., 28 V
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1880-2025 MHz, 58 W Avg., 28 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH