A2V07H400-04NR3 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 48V OM780G-4
Current - Test: 700 mA
Voltage - Test: 48 V
Voltage - Rated: 105 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: OM-780G-4L
Technology: LDMOS
Gain: 19.9dB
Power - Output: 267W
Configuration: Dual
Frequency: 595MHz ~ 851MHz
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 10µA
Package / Case: OM-780G-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details A2V07H400-04NR3 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 48V OM780G-4, Current - Test: 700 mA, Voltage - Test: 48 V, Voltage - Rated: 105 V, Part Status: Active, Supplier Device Package: OM-780G-4L, Technology: LDMOS, Gain: 19.9dB, Power - Output: 267W, Configuration: Dual, Frequency: 595MHz ~ 851MHz, Mounting Type: Surface Mount, Current Rating (Amps): 10µA, Package / Case: OM-780G-4L, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote A2V07H400-04NR3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
A2V07H400-04NR3 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 420-851 MHz, 107 W Avg., 48 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| A2V07H400-04NR3 |
|
Hersteller: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 420-851 MHz, 107 W Avg., 48 V
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 420-851 MHz, 107 W Avg., 48 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH