A3G18D510-04SR3 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN 48V NI780
Current - Test: 250 mA
Voltage - Test: 48 V
Voltage - Rated: 125 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: NI-780S-4L
Technology: GaN
Gain: 16dB
Power - Output: 56W
Frequency: 1.805GHz ~ 2.2GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: NI-780S-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details A3G18D510-04SR3 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN 48V NI780, Current - Test: 250 mA, Voltage - Test: 48 V, Voltage - Rated: 125 V, Part Status: Active, Supplier Device Package: NI-780S-4L, Technology: GaN, Gain: 16dB, Power - Output: 56W, Frequency: 1.805GHz ~ 2.2GHz, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: NI-780S-4L, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote A3G18D510-04SR3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| A3G18D510-04SR3 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-2200 MHz, 56 W Avg., 48 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| A3G18D510-04SR3 |
|
Hersteller: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-2200 MHz, 56 W Avg., 48 V
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-2200 MHz, 56 W Avg., 48 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH