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A3G18H500-04SR3 NXP Semiconductors

a3g18h500-04s.pdf Hersteller: NXP Semiconductors
RF Power GaN FET Transistor
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Technische Details A3G18H500-04SR3 NXP Semiconductors

RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-2200 MHz, 107 W Avg., 48 V.

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A3G18H500-04SR3 A3G18H500-04SR3 Hersteller : NXP USA Inc. A3G18H500-04S.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 48V NI-780S-4L
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A3G18H500-04SR3 A3G18H500-04SR3 Hersteller : NXP Semiconductors A3G18H500_04S-1387489.pdf RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-2200 MHz, 107 W Avg., 48 V
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