A3G20S350-01SR3 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET N-CHANNEL 48V NI400
Current - Test: 500 mA
Voltage - Test: 48 V
Voltage - Rated: 125 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: NI-400S-2SA
Technology: N-Channel
Gain: 18.1dB
Power - Output: 59W
Configuration: N-Channel
Frequency: 2.11GHz ~ 2.17GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: NI-400S-2SA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details A3G20S350-01SR3 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET N-CHANNEL 48V NI400, Current - Test: 500 mA, Voltage - Test: 48 V, Voltage - Rated: 125 V, Part Status: Active, Supplier Device Package: NI-400S-2SA, Technology: N-Channel, Gain: 18.1dB, Power - Output: 59W, Configuration: N-Channel, Frequency: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: NI-400S-2SA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote A3G20S350-01SR3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| A3G20S350-01SR3 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 2110-2170 MHz, 59 W Avg., 48 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| A3G20S350-01SR3 |
|
Hersteller: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 2110-2170 MHz, 59 W Avg., 48 V
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 2110-2170 MHz, 59 W Avg., 48 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH