Produkte > NXP USA INC. > A3G26H501W17SR3

A3G26H501W17SR3 NXP USA Inc.

A3G26H501W17S.pdf Hersteller: NXP USA Inc.
Description: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details A3G26H501W17SR3 NXP USA Inc.

RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 56 W Avg., 48 V.

Weitere Produktangebote A3G26H501W17SR3

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
A3G26H501W17SR3 A3G26H501W17SR3 Hersteller : NXP Semiconductors A3G26H501W17S-1627448.pdf RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 56 W Avg., 48 V
Produkt ist nicht verfügbar