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A3G26H501W17SR3 NXP USA Inc.


A3G26H501W17S.pdf Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details A3G26H501W17SR3 NXP USA Inc.

RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 56 W Avg., 48 V.

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A3G26H501W17SR3 A3G26H501W17SR3 Hersteller : NXP Semiconductors A3G26H501W17S-1627448.pdf RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 56 W Avg., 48 V
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