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A3I35D012WGNR1 NXP USA Inc.

A3I35D012WN.pdf Hersteller: NXP USA Inc.
Description: AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
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Technische Details A3I35D012WGNR1 NXP USA Inc.

RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3200-4000 MHz, 1.8 W Avg., 28 V.

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A3I35D012WGNR1 A3I35D012WGNR1 Hersteller : NXP Semiconductors A3I35D012WN-1509882.pdf RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3200-4000 MHz, 1.8 W Avg., 28 V
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