A3T09S100NR1 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2
Current - Test: 450 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: TO-270-2
Technology: LDMOS
Gain: 22.8dB
Power - Output: 100W
Frequency: 136MHz ~ 941MHz
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 10µA
Package / Case: TO-270-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details A3T09S100NR1 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2, Current - Test: 450 mA, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 65 V, Supplier Device Package: TO-270-2, Technology: LDMOS, Gain: 22.8dB, Power - Output: 100W, Frequency: 136MHz ~ 941MHz, Mounting Type: Surface Mount, Current Rating (Amps): 10µA, Package / Case: TO-270-2, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote A3T09S100NR1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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A3T09S100NR1 | NXP Semiconductors |
JFETs Airfast RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 136 to 941 MHz, 32 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| A3T09S100NR1 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
JFETs Airfast RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 136 to 941 MHz, 32 V
JFETs Airfast RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 136 to 941 MHz, 32 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH