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Technische Details A3T18H360W23SR6 NXP USA Inc.
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 63 W Avg., 28 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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A3T18H360W23SR6 | NXP Semiconductors |
 RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 63 W Avg., 28 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| A3T18H360W23SR6 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 63 W Avg., 28 V
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 63 W Avg., 28 V
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