Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details A3T19H455W23SR6 NXP USA Inc.
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1930-1990 MHz, 81 W Avg., 30 V.
Weitere Produktangebote A3T19H455W23SR6
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
A3T19H455W23SR6 | NXP Semiconductors |
 RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1930-1990 MHz, 81 W Avg., 30 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| A3T19H455W23SR6 |
|
Hersteller: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1930-1990 MHz, 81 W Avg., 30 V
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1930-1990 MHz, 81 W Avg., 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH