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A5G08H800W19NR3

A5G08H800W19NR3 NXP Semiconductors

A5G08H800W19N.pdf
Hersteller: NXP Semiconductors
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 865-960 MHz, 112 W Avg., 50 V
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Technische Details A5G08H800W19NR3 NXP Semiconductors

Description: A5G08H800W19NR3, Packaging: Bulk, Package / Case: OM-780-4S4S, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 865MHz ~ 960MHz, Power - Output: 112W, Gain: 18.2dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: OM-780-4S4S, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 350 mA.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
A5G08H800W19NR3 NXP USA Inc. A5G08H800W19N.pdf Description: A5G08H800W19NR3
Packaging: Bulk
Package / Case: OM-780-4S4S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 865MHz ~ 960MHz
Power - Output: 112W
Gain: 18.2dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: OM-780-4S4S
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 350 mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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A5G08H800W19NR3 A5G08H800W19N.pdf
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: A5G08H800W19NR3
Packaging: Bulk
Package / Case: OM-780-4S4S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 865MHz ~ 960MHz
Power - Output: 112W
Gain: 18.2dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: OM-780-4S4S
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