A5G26H110NT4 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Test: 50 mA
Voltage - Test: 48 V
Voltage - Rated: 125 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5)
Technology: GaN
Gain: 17.7dB
Power - Output: 15W
Frequency: 2.496GHz ~ 2.69GHz
Mounting Type: Surface Mount
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Technische Details A5G26H110NT4 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN, Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Test: 50 mA, Voltage - Test: 48 V, Voltage - Rated: 125 V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5), Technology: GaN, Gain: 17.7dB, Power - Output: 15W, Frequency: 2.496GHz ~ 2.69GHz, Mounting Type: Surface Mount.
Weitere Produktangebote A5G26H110NT4
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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A5G26H110NT4 | NXP Semiconductors |
GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 2496-2690 MHz, 15 W Avg., 48 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| A5G26H110NT4 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 2496-2690 MHz, 15 W Avg., 48 V
GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 2496-2690 MHz, 15 W Avg., 48 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH