Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details A5G26H606W19NR3 NXP USA Inc.
Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz 85 W Avg., 48 V.
Weitere Produktangebote A5G26H606W19NR3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
|
A5G26H606W19NR3 | NXP Semiconductors | Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz 85 W Avg., 48 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| A5G26H606W19NR3 |
Hersteller: NXP Semiconductors
Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz 85 W Avg., 48 V
Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz 85 W Avg., 48 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH

