Technische Details A5G26S004NT6 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active.
Weitere Produktangebote A5G26S004NT6
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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A5G26S004NT6 | NXP Semiconductors |
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2300-2690 MHz, 24 dBm Avg., 48 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| A5G26S004NT6 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2300-2690 MHz, 24 dBm Avg., 48 V
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2300-2690 MHz, 24 dBm Avg., 48 V
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH


